BSP318SH6327 INFINEON SOT-223
Rp28.000
MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
Stok 50
SKU: 16993-L62.22
Kategori: MOSFET
Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET N-channel SIPMOS enhancement mode, logic level, avalanche rated |
|---|---|
| Merek | Infineon Technologies |
| Tegangan drain-source (VDS) | 60 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 2,6 A |
| Arus drain pulsa (ID puls) | 10,4 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1,2 V minimum, 1,6 V tipikal, 2 V maksimum (ID 20 µA) |
| RDS(on) | 0,09 Ω maksimum (0,07 Ω tipikal) pada VGS 10 V, ID 2,6 A; 0,15 Ω maksimum (0,12 Ω tipikal) pada VGS 4,5 V |
| Transkonduktansi (gfs) | 2,4 S minimum, 5,5 S tipikal |
| Muatan gate total (Qg) | 14 nC tipikal, 20 nC maksimum |
| Muatan gate pada VGS 5 V | 7 nC tipikal, 10 nC maksimum |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 300 pF tipikal, 380 pF maksimum (VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 90 pF tipikal, 120 pF maksimum |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 50 pF tipikal, 65 pF maksimum |
| Waktu switching | Turn-on delay 12 ns, rise 15 ns, turn-off delay 20 ns, fall 15 ns (tipikal, pada VDD 30 V, VGS 4,5 V, ID 2,6 A, RG 16 Ω) |
| Disipasi daya (Ptot) | 1,8 W pada T 25 °C |
| Energi avalanche pulsa tunggal (EAS) | 60 mJ |
| Ketahanan dv/dt dioda balik | 6 kV/µs |
| Resistansi termal junction-soldering point | 17 K/W |
| Resistansi termal junction-ambient | 70 K/W dengan area pendingin 6 cm²; 100 K/W pada footprint minimum |
| Suhu kerja dan penyimpanan (Tj, Tstg) | -55 °C – +150 °C |
| Kualifikasi | AEC-Q101, ESD class 1b (JESD22-A114-HBM) |
| Kepatuhan RoHS | RoHS compliant, Pb-free lead plating, halogen free menurut IEC61249-2-21 (dinyatakan pada datasheet) |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | PG-SOT223 |
| Jenis pemasangan | SMD/SMT |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon BSP318S (revisi 2.4, 28 November 2012).
Komponen ini logic level, jadi datasheet memberi dua angka RDS(on): 0,07 Ω tipikal bila gate dikendalikan penuh pada 10 V, dan 0,12 Ω tipikal pada 4,5 V. Angka 120 mΩ yang beredar adalah nilai pada 4,5 V, bukan pada 10 V.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
Sumber: datasheet Infineon Technologies, salinan melalui LCSC, C135808.
