CSD13202Q2 TI WSON-6 N-CHAN. MOSFET

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel NexFET
Merek	Texas Instruments
Tegangan drain-source (VDS)	12 V
Tegangan gate-source (VGS)	±8 V
Arus drain kontinu (ID)	14,4 A (batas kemasan 22 A)
Arus drain pulsa (IDM)	76 A (pulsa 10 µs, duty cycle ≤ 2 %)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	0,58 V minimum, 0,80 V tipikal, 1,10 V maksimum (VDS = VGS, IDS 250 µA)
RDS(on)	9,3 mΩ maksimum (7,5 mΩ tipikal) pada VGS 4,5 V; 10,4 mΩ maksimum (8,4 mΩ tipikal) pada VGS 3 V; 11,6 mΩ maksimum (9,1 mΩ tipikal) pada VGS 2,5 V — semuanya pada IDS 5 A
Transkonduktansi (gfs)	44 S pada VDS 6 V, IDS 5 A
Muatan gate total (Qg)	5,1 nC pada VGS 4,5 V
Muatan gate-drain (Qgd)	0,76 nC
Kapasitansi masukan (Ciss)	767 pF tipikal, 997 pF maksimum (VGS 0 V, VDS 6 V, f 1 MHz)
Disipasi daya (PD)	2,7 W
Energi avalanche (EAS)	20 mJ pada ID 20 A, L 0,1 mH, RG 25 Ω
Resistansi termal junction-ambient (RθJA)	45 °C/W pada tembaga 1 in² (2 oz) di PCB FR4 tebal 0,060 inci
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +150 °C
Kepatuhan RoHS	RoHS compliant, halogen free, Pb-free (dinyatakan pada datasheet)
Jumlah kanal	1
Kemasan	SON 2 mm × 2 mm (WSON-6)
Jenis pemasangan	SMD/SMT

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Texas Instruments CSD13202Q2 (SLPS313A, September 2013, revisi Januari 2018).

Komponen ini N-channel. Datasheet Texas Instruments memberinya judul 12-V N-Channel NexFET Power MOSFET.

Angka arus drain 22 A yang sering dikutip adalah batas kemasan, bukan arus kerja komponen. Arus kontinu yang dijamin adalah 14,4 A.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet Texas Instruments, salinan melalui LCSC, C187839.