IRF3710PBF INFINEON TO-220

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel HEXFET dengan RDS(on) sangat rendah, fully avalanche rated
Merek	International Rectifier (Infineon)
Tegangan drain-source (VDSS)	100 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	57 A pada TC 25 °C; 40 A pada TC 100 °C (VGS 10 V)
Arus drain pulsa (IDM)	180 A
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V minimum, 4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
RDS(on)	23 mΩ maksimum pada VGS 10 V, ID 28 A
Transkonduktansi maju (gfs)	Minimum 32 S pada VDS 25 V, ID 28 A
Muatan gate total (Qg)	130 nC maksimum pada ID 28 A, VGS 10 V
Muatan gate-drain (Qgd)	43 nC maksimum
Kapasitansi masukan (Ciss)	3130 pF pada VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz
Kapasitansi keluaran (Coss)	410 pF pada kondisi yang sama
Kapasitansi transfer balik (Crss)	72 pF pada kondisi yang sama
Waktu switching	Turn-on delay 12 ns, rise 58 ns, turn-off delay 45 ns, fall 47 ns (tipikal)
Disipasi daya (PD)	200 W pada TC 25 °C, derating 1,3 W/°C
Arus avalanche berulang (IAR)	28 A
Energi avalanche berulang (EAR)	20 mJ
Ketahanan dv/dt pemulihan dioda	5,8 V/ns
Resistansi termal junction-case (RθJC)	0,75 °C/W maksimum
Resistansi termal junction-ambient (RθJA)	62 °C/W maksimum
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF3710PbF.

Angka muatan gate total (Qg) yang beredar untuk komponen ini bernilai tepat dua per tiga dari angka datasheet. Yang kami tampilkan adalah angka datasheet.

Tegangan ambang gate 4 V yang sering dikutip adalah batas atas rentang; datasheet menjamin 2,0 V sampai 4,0 V.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet International Rectifier, salinan melalui LCSC, C2562.