IRF840 VISHAY TO-220

Name: IRF840 VISHAY TO-220 - RDD Technologies
SKU: 36101001-L14.06
Price: 17500 IDR
Availability: InStock

Rp17.500

IRF840
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to pproximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry

Stok 80

SKU: 36101001-L14.06 Kategori: MOSFET

Deskripsi

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel, generasi ketiga, dengan rating avalanche berulang
Merek	Vishay Siliconix
Tegangan drain-source (VDS)	500 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	8,0 A pada TC 25 °C; 5,1 A pada TC 100 °C (VGS 10 V)
Arus drain pulsa (IDM)	32 A
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V minimum, 4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
RDS(on)	0,85 Ω maksimum pada VGS 10 V, ID 4,8 A
Transkonduktansi maju (gfs)	Minimum 4,9 S pada VDS 50 V, ID 4,8 A
Muatan gate total (Qg)	63 nC maksimum pada VGS 10 V, ID 8 A, VDS 400 V
Muatan gate-source (Qgs)	9,3 nC maksimum
Muatan gate-drain (Qgd)	32 nC maksimum
Kapasitansi masukan (Ciss)	1300 pF pada VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz
Kapasitansi keluaran (Coss)	310 pF pada kondisi yang sama
Kapasitansi transfer balik (Crss)	120 pF pada kondisi yang sama
Disipasi daya (PD)	125 W pada TC 25 °C
Energi avalanche pulsa tunggal (EAS)	510 mJ
Arus avalanche berulang (IAR)	8,0 A
Energi avalanche berulang (EAR)	13 mJ
Ketahanan dV/dt pemulihan dioda	3,5 V/ns
Resistansi termal junction-case (RthJC)	1,0 °C/W maksimum
Resistansi termal junction-ambient (RthJA)	62 °C/W maksimum
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +150 °C
Torsi pemasangan	10 lbf·in (1,1 N·m) untuk sekrup 6-32 atau M3
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay Siliconix IRF840 / SiHF840 (dokumen 91070, S16-0754 revisi D, 2 Mei 2016).

Arus drain 8 A berlaku pada suhu case 25 °C dan turun menjadi 5,1 A pada 100 °C. Angka ini mengandaikan pendinginan yang menjaga suhu case, jadi pada pemakaian nyata komponen ini memerlukan heatsink.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet Vishay Siliconix, salinan melalui LCSC, C537842.