IRFR3710Z IR TO-252

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel HEXFET dengan RDS(on) sangat rendah
Merek	International Rectifier (Infineon)
Tegangan drain-source (BVDSS)	100 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	56 A pada TC 25 °C (batas silikon); 42 A (batas kemasan); 39 A pada TC 100 °C
Arus drain pulsa (IDM)	220 A
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V minimum, 4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
Koefisien suhu tegangan breakdown	0,088 V/°C
RDS(on)	18 mΩ maksimum (15 mΩ tipikal) pada VGS 10 V, ID 33 A
Transkonduktansi maju (gfs)	Minimum 39 S pada VDS 25 V, ID 33 A
Muatan gate total (Qg)	69 nC tipikal, 100 nC maksimum pada ID 33 A, VDS 80 V, VGS 10 V
Muatan gate-source (Qgs)	15 nC tipikal
Muatan gate-drain (Qgd, Miller)	25 nC tipikal
Waktu switching	Turn-on delay 14 ns, rise 43 ns (tipikal)
Disipasi daya (PD)	140 W pada TC 25 °C, derating 0,95 W/°C
Energi avalanche pulsa tunggal (EAS)	150 mJ (batas termal); 200 mJ (nilai teruji)
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-252 (D-PAK)
Jenis pemasangan	SMD

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFR/U3710ZPbF.

Arus drain kontinu komponen ini sering dikutip sebagai 56 A saja. Angka itu ada di datasheet, tetapi merupakan batas silikon. Kemasan TO-252 membatasi arus kontinu pada 42 A, dan itulah angka yang berlaku dalam pemakaian nyata. Keduanya kami tampilkan.

Muatan gate total 100 nC adalah nilai maksimum dari datasheet dan sudah benar; nilai tipikalnya 69 nC.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet International Rectifier IRFR/U3710ZPbF, salinan melalui LCSC, C52839.