Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya P-channel 100 V (HEXFET) |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (V(BR)DSS) | -100 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -38 A (TC 25 °C) · -24 A (TC 100 °C), VGS -10 V |
| Arus drain pulsa (IDM) | -140 A |
| RDS(on) maks | 60 mΩ (VGS -10 V, ID -38 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -2,0 V – -4,0 V |
| Muatan gate total (Qg) | 150 nC typ · 230 nC maks (VGS -10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 170 W (TC 25 °C) · 3,1 W (TA 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | D2PAK |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF5210S/LPbF, versi D2PAK (IRF5210SPbF). Akhiran TRL pada IRF5210STRLPBF menandai kemasan tape & reel dengan rating listrik yang sama.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


