Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP general purpose |
|---|---|
| Merek | onsemi (ON Semiconductor) |
| VCEO | -40 V |
| VCBO | -40 V |
| VEBO | -5,0 V |
| Arus kolektor (IC) | -200 mA |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · 1,5 W (TC 25 °C) |
| hFE | 100 – 300 (IC 10 mA, VCE 1 V) |
| VCE(sat) maks | 0,25 V (IC 10 mA) · 0,4 V (IC 50 mA) |
| Frekuensi transisi (fT) | 250 MHz min |
| Kapasitansi output (Cobo) | 4,5 pF maks |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet ON Semiconductor 2N3906/D (Rev. 0, November 2001). Nilai tegangan dan arus berlaku untuk transistor PNP (polaritas negatif).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


