Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya P-channel logic level, mode enhancement |
|---|---|
| Merek | SamHop Microelectronics |
| Tegangan drain-source (VDSS) | -40 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -50 A pada TC 25 °C (batas kemasan); -58 A (batas silikon); -11 A pada TA 25 °C |
| Arus drain pulsa (IDM) | -175 A |
| Tegangan breakdown drain-source (BVDSS) | -40 V minimum (VGS 0 V, ID -250 µA) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -1 V minimum, -1,5 V tipikal, -3 V maksimum (VDS = VGS, ID -250 µA) |
| RDS(on) | 11,5 mΩ maksimum (9,6 mΩ tipikal) pada VGS -10 V, ID -20 A; 16 mΩ maksimum (12,5 mΩ tipikal) pada VGS -4,5 V, ID -17 A |
| Transkonduktansi maju (gFS) | 9 S tipikal pada VDS -10 V, ID -20 A |
| Arus bocor drain (IDSS) | 1 µA maksimum pada VDS -32 V, VGS 0 V |
| Arus bocor gate (IGSS) | ±10 µA maksimum pada VGS ±20 V, VDS 0 V |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 3550 pF pada VDS -20 V, VGS 0 V, f 1 MHz |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 710 pF pada kondisi yang sama |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 420 pF pada kondisi yang sama |
| Muatan gate total (Qg) | 87 nC pada VGS -10 V; 42 nC pada VGS -4,5 V (VDS -20 V, ID -20 A) |
| Muatan gate-source (Qgs) | 9 nC |
| Muatan gate-drain (Qgd) | 20 nC |
| Waktu switching | Turn-on delay 40 ns, rise 70 ns, turn-off delay 345 ns, fall 125 ns (VDD -20 V, ID -1,0 A, VGS -10 V, RGEN 3,3 Ω) |
| Arus maju dioda body (IS) | -2,0 A maksimum |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | -0,77 V tipikal, -1,3 V maksimum pada VGS 0 V, IS -2,0 A |
| Energi avalanche pulsa tunggal (EAS) | 224 mJ |
| Disipasi daya (PD) | 70 W pada TC 25 °C; 2,5 W pada TA 25 °C |
| Resistansi termal (RθJC) | 1,8 °C/W |
| Resistansi termal (RθJA) | 50 °C/W |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-252AA (D-PAK) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet SamHop Microelectronics STU/D419S versi 1.0 (15 September 2008).
Arus drain kontinu sebelumnya tertulis -40 A. Angka itu tidak ada di datasheet: batas kemasan -50 A, batas silikon -58 A, dan -11 A pada TA 25 °C. Angka yang berlaku dalam pemakaian nyata adalah batas kemasan.
Disipasi daya sebelumnya tertulis 50 Watt. Datasheet menyebut 70 W pada TC 25 °C dan 2,5 W pada TA 25 °C.
Tanda minus pada rating komponen P-channel menunjukkan arah arus dan tegangan, bukan nilai yang lebih kecil.
Nilai kapasitansi dan waktu switching ditandai oleh SamHop sebagai dijamin lewat desain dan tidak diuji per produksi. Kami tetap menampilkannya karena pabrikan menyatakannya, dengan catatan ini.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
Sumber: datasheet SamHop Microelectronics STU/D419S versi 1.0 (15 September 2008), salinan arsip daring. Situs resmi SamHop saat ini tidak dapat diakses dengan aman.
