Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET N-channel 30 V (AlphaMOS) |
|---|---|
| Merek | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Tegangan drain-source (VDS) | 30 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 46 A (TC 25 °C) · 36 A (TC 100 °C) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 170 A |
| RDS(on) maks | 5 mΩ (VGS 10 V) · 10 mΩ (VGS 4,5 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1,8 V min · 2,2 V typ · 2,6 V maks |
| Muatan gate total (Qg) | 18,3 nC typ (VGS 10 V) · 8,5 nC typ (VGS 4,5 V) |
| Disipasi daya (PD) | 50 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-252 (DPAK) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Alpha & Omega Semiconductor AOD516/AOI516/AOY516 (Rev. 5.0, Juli 2013), versi TO-252 (AOD516).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


