Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET P-channel 20 V |
|---|---|
| Merek | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Tegangan drain-source (BVDSS) | −20 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±8 V |
| Arus drain kontinu (ID) | −5,5 A (TA 25 °C) · −4,2 A (TA 70 °C) |
| Arus drain pulsa (IDM) | −30 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | −0,3 – −0,9 V, typ −0,57 V (VDS = VGS, ID −250 µA) |
| RDS(on) | 34 mΩ typ, 41 mΩ maks (VGS −4,5 V, ID −5,5 A) · 42 mΩ typ, 53 mΩ maks (VGS −2,5 V, ID −4 A) · 52 mΩ typ, 65 mΩ maks (VGS −1,8 V, ID −2 A) |
| Transkonduktansi maju (gfs) | 20 S typ (VDS −5 V, ID −5,5 A) |
| Muatan gate total (Qg) | 9,3 nC typ, 11 nC maks (VGS −4,5 V, VDS −10 V, ID −5,5 A) |
| Muatan gate-source (Qgs) | 1 nC typ |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 2,2 nC typ |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 751 pF typ (VGS 0 V, VDS −10 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 115 pF typ |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 80 pF typ |
| Waktu switching | td(on) 13 ns · tr 9 ns · td(off) 19 ns · tf 29 ns (typ) |
| Disipasi daya (PD) | 2,1 W (TA 25 °C) · 1,3 W (TA 70 °C) |
| Resistansi termal (RθJA) | 90 °C/W maks (steady state) |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | −1 V maks (IS −1 A, VGS 0 V) |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TSOP6 (TSOT-6) |
| Jenis pemasangan | SMD (surface mount) |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Alpha & Omega Semiconductor AO6409 (Rev 5, September 2011).
RDS(on) dijamin hingga tegangan gate −1,8 V, sehingga komponen ini cocok dikendalikan langsung dari rangkaian logika bertegangan rendah.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
