Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda switching ganda, common cathode |
|---|---|
| Merek | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Tegangan balik maks. (VR) | 70 V (breakdown min. 70 V pada IR 100 µA) |
| Arus maju (IF) | 200 mA |
| Arus surja maju (IFSM) | 2,0 A (8,3 ms) |
| Tegangan maju maks. (VF) | 0,715 V (1 mA) · 0,855 V (10 mA) · 1 V (50 mA) · 1,25 V (150 mA) |
| Arus bocor maks. (IR) | 2,5 µA pada VR 70 V |
| Kapasitansi maks. | 1,5 pF (VR 0 V, 1 MHz) |
| Waktu pemulihan balik maks. (trr) | 6 ns |
| Disipasi daya | 225 mW |
| Kode marking | A7 |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Kemasan | SOT-23 |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet MDD (Microdiode Semiconductor) BAW56/BAV70/BAV99 (SOT-23 Switching Diode, Rev. 2025A3): tabel maximum ratings dan electrical characteristics BAV70.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


