Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda Schottky ganda, common cathode (center tap), VF sangat rendah |
|---|---|
| Merek | Vishay Semiconductors |
| Tegangan balik maks. (VRRM / VR) | 15 V |
| Arus maju rata-rata (IF(AV)) | 20 A per dioda · 40 A per perangkat (TC 85 °C, duty 50 %) |
| Arus surja maju (IFSM) per dioda | 700 A (5 µs sinus) · 330 A (10 ms sinus) |
| Tegangan maju maks. (VFM) per dioda | 0,41 V (19 A) · 0,52 V (40 A) pada TJ 25 °C · 0,33 V (19 A) pada TJ 125 °C |
| Arus bocor maks. (IRM) per dioda | 10 mA (TJ 25 °C) · 600 mA (TJ 100 °C) pada VR rating |
| Energi avalanche (EAS) per dioda | 10 mJ |
| Kapasitansi junction maks. per dioda | 2000 pF (VR 5 V) |
| Resistansi termal junction–case per dioda | 1,5 °C/W |
| Kode marking | 40L15CT |
| Suhu junction kerja | −55 °C – +125 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 dan 3 Anode · 2 dan tab Common cathode |
| Kemasan | TO-220AB (3 kaki) |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay Semiconductors VS-40L15CT-M3 (High Performance Schottky Rectifier 2 x 20 A, dokumen 96249, revisi 14 Agustus 2017): tabel absolute maximum ratings, electrical specifications dan thermal-mechanical specifications.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
