Spesifikasi teknis

Jenis	Transistor bipolar PNP, saturasi rendah
Merek	Diodes Incorporated
VCEO	−40 V
VCBO	−50 V
VEBO	−7,5 V
Arus kolektor (IC)	−5,5 A kontinu · −15 A puncak
Disipasi daya (PD)	0,9–3,0 W (tergantung luas tembaga PCB)
VCE(sat)	< −60 mV (IC −1 A)
fT	152 MHz (tipikal; VCE −10 V, IC −50 mA)
Cobo	53 pF (tipikal; VCB −10 V, f 1 MHz)
Suhu junction maks.	150 °C
Kode marking	53Z
Kemasan	SOT-89 (pad kolektor terbuka)
Jenis pemasangan	Surface Mount

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Diodes Incorporated ZX5T3Z (40V PNP low saturation transistor in SOT89, DS33419 Rev. 3-2, April 2023): tabel absolute maximum ratings, karakteristik listrik dan informasi marking.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

ZX5T3ZTA DIODES SOT89

Spesifikasi teknis

Keterangan