Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda switching kecepatan tinggi (high-speed switching diode) |
|---|---|
| Merek | Nexperia |
| Tegangan balik maks. (VR / VRRM) | 100 V |
| Arus maju maks. (IF) | 175 mA |
| Arus maju puncak berulang (IFRM) | 500 mA (tp ≤ 0,5 ms) |
| Arus surja maju (IFSM) | 4 A (1 µs) · 1 A (1 ms) · 0,5 A (1 s) |
| Tegangan maju maks. (VF) | 715 mV (1 mA) · 855 mV (10 mA) · 1 V (50 mA) · 1,25 V (150 mA) |
| Arus bocor maks. (IR) | 30 nA (VR 25 V) · 0,5 µA (VR 80 V), Tamb 25 °C |
| Waktu pemulihan balik maks. (trr) | 4 ns |
| Kapasitansi dioda maks. | 1,5 pF (VR 0 V, 1 MHz) |
| Disipasi daya | 200 mW |
| Kode marking | A6% |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Anode · 2 tidak terhubung · 3 Cathode |
| Kemasan | SOT-323 (SC-70) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Nexperia BAS16W (High-speed switching diode, product data sheet 1 Oktober 2022): tabel limiting values, karakteristik dan pinning.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


