Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN, penguat sinyal kecil low-noise, hFE tinggi |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini bagian dari onsemi) |
| VCEO | 30 V |
| VCBO | 35 V |
| VEBO | 4,5 V |
| Arus kolektor (IC) | 100 mA (kontinu) |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · turun 5,0 mW/°C di atas 25 °C |
| hFE | Min. 300 (IC 100 µA) · min. 350 (IC 1 mA) · min. 300 (IC 10 mA); VCE 5 V |
| VCE(sat) maks. | 0,5 V (IC 10 mA, IB 1 mA) |
| VBE(on) maks. | 0,8 V (VCE 5 V, IC 10 mA) |
| Noise figure | Maks. 3,0 dB (VCE 5 V, IC 100 µA, RS 10 kΩ, f 10 Hz–15,7 kHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Basis · 3 Kolektor |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fairchild Semiconductor 2N5088/2N5089/MMBT5088/MMBT5089 (Rev. A, 2001): tabel absolute maximum ratings dan karakteristik listrik untuk 2N5088.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
