Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN, penguat tegangan tinggi general purpose |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini bagian dari onsemi) |
| VCEO | 160 V |
| VCBO | 180 V |
| VEBO | 6,0 V |
| Arus kolektor (IC) | 600 mA (kontinu) |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · turun 5,0 mW/°C di atas 25 °C |
| hFE | 80–250 (VCE 5 V, IC 10 mA) · min. 80 (IC 1 mA) · min. 30 (IC 50 mA) |
| VCE(sat) maks. | 0,15 V (IC 10 mA, IB 1 mA) · 0,20 V (IC 50 mA, IB 5 mA) |
| VBE(sat) maks. | 1,0 V (IC 10–50 mA) |
| fT | 100–300 MHz (VCE 10 V, IC 10 mA) |
| Cobo | Maks. 6,0 pF (VCB 10 V, f 1 MHz) |
| Noise figure | Maks. 8,0 dB (VCE 5 V, IC 250 µA, RS 1 kΩ, f 10 Hz–15,7 kHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Basis · 3 Kolektor |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fairchild Semiconductor 2N5551/MMBT5551 (NPN General Purpose Amplifier, Rev. B, April 2006): tabel absolute maximum ratings dan karakteristik listrik.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


