Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP epitaxial, penguat frekuensi rendah low noise |
|---|---|
| Merek | Hitachi (sekarang Renesas) |
| VCEO | −120 V |
| VCBO | −120 V |
| VEBO | −5 V |
| Arus kolektor (IC) | −50 mA |
| Disipasi kolektor (PC) | 300 mW |
| hFE | 250 – 800 (VCE −12 V, IC −2 mA) |
| VCE(sat) maks. | −0,5 V (IC −10 mA, IB −1 mA) |
| fT | 120 MHz (tipikal) |
| Pasangan komplementer (NPN) | 2SC1775A |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Kolektor · 3 Basis |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Hitachi 2SA872/2SA872A “Silicon PNP Epitaxial” (salinan alldatasheet), kolom 2SA872A.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


