Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN epitaxial, penguat frekuensi rendah low noise |
|---|---|
| Merek | Hitachi (sekarang Renesas) |
| VCEO | 120 V |
| VCBO | 120 V |
| VEBO | 5 V |
| Arus kolektor (IC) | 50 mA |
| Disipasi kolektor (PC) | 300 mW |
| hFE | 400 – 1200 (VCE 12 V, IC 2 mA) |
| VCE(sat) maks. | 0,5 V (IC 10 mA, IB 1 mA) |
| fT | 200 MHz (tipikal) |
| Noise figure | Maks. 1,5 dB (f 1 kHz) · maks. 5,0 dB (f 10 Hz) |
| Pasangan komplementer (PNP) | 2SA872A |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Kolektor · 3 Basis |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Hitachi 2SC1775/2SC1775A “Silicon NPN Epitaxial” (salinan alldatasheet), kolom 2SC1775A.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


