Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN daya, tegangan tinggi |
|---|---|
| Merek | SPTECH |
| VCBO | 1200 V |
| VCEO | 800 V |
| VEBO | 7 V |
| Arus kolektor (IC) | 10 A kontinu · 20 A puncak |
| Arus basis (IB) | 4 A kontinu · 8 A puncak |
| Disipasi daya (PT) | 150 W (TC = 25 °C) |
| VCE(sat) | 1,0 V maks (IC 5 A, IB 1 A) |
| VBE(sat) | 1,5 V maks (IC 5 A, IB 1 A) |
| Waktu switching | ton 0,5 µs · tstg 3,5 µs · tf 0,3 µs (IC 5 A) |
| Resistansi termal (Rth j-c) | 0,83 °C/W |
| Suhu sambungan maks (Tj) | 150 °C |
| Suhu penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Kemasan | TO-3P |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet SPTECH 2SC4237 “Silicon NPN Power Transistor”. Nilai hFE dan fT tidak kami tampilkan karena tata letak tabel datasheet tidak menunjukkan dengan jelas apakah nilainya minimum atau tipikal.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


