Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel F-II Series 450 V |
|---|---|
| Merek | Fuji Electric |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 450 V |
| Tegangan gate-source puncak (VGSS) | ±30 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 10 A |
| Arus drain pulsa (ID(pulse)) | 35 A |
| Arus drain balik kontinu (IDR) | 10 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,5 – 5,0 V, typ 3,5 V (ID 1 mA, VDS = VGS) |
| RDS(on) | 0,5 Ω typ, 0,65 Ω maks (VGS 10 V, ID 5 A) |
| Transkonduktansi maju (gfs) | 4,0 S min, 6,5 S typ (ID 5 A, VDS 25 V) |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 1200 pF typ, 1800 pF maks (VDS 25 V, VGS 0 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 160 pF typ, 240 pF maks |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 70 pF typ, 100 pF maks |
| Waktu switching | td(on) 30 / 45 ns · tr 80 / 120 ns · td(off) 160 / 240 ns · tf 80 / 120 ns (typ / maks; VCC 300 V, ID 10 A, VGS 10 V, RG 25 Ω) |
| Disipasi daya maksimum (PD) | 50 W (TC 25 °C) |
| Resistansi termal | Rth(ch-c) 2,5 °C/W maks · Rth(ch-a) 62,5 °C/W maks |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | 1,10 V typ, 1,5 V maks (VGS 0 V) |
| Waktu pemulihan balik dioda (trr) | 500 ns typ (di/dt 100 A/µs) |
| Suhu kanal (Tch) | 150 °C maks |
| Suhu penyimpanan (Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220 full-pack (EIAJ SC-67), berlapis plastik |
| Jenis pemasangan | Through hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fuji Electric 2SK1101-01MR, F-II Series (salinan arsip datasheet Fuji).
Aplikasi menurut datasheet: regulator switching, UPS, konverter DC-DC dan penguat daya umum.
Logo Fuji dan kode K1101 pada badan komponen di foto produk sesuai dengan datasheet ini.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
