Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel untuk switching kecepatan tinggi, dengan dioda proteksi gate |
|---|---|
| Merek | NEC (kini Renesas) |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 100 V |
| Tegangan gate-source (VGSS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID(DC)) | ±20 A |
| Arus drain pulsa (ID(pulse)) | ±80 A (PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%) |
| Tegangan cutoff gate (VGS(off)) | 1,0 – 2,0 V, typ 1,7 V (VDS 10 V, ID 1 mA) |
| RDS(on) | 58 mΩ typ, 80 mΩ maks (VGS 10 V, ID 10 A) · 70 mΩ typ, 100 mΩ maks (VGS 4 V, ID 10 A) |
| Admitansi transfer maju (|yfs|) | 12 S min, 19 S typ (VDS 10 V, ID 10 A) |
| Muatan gate total (QG) | 51 nC typ (VDD 80 V, VGS 10 V, ID 20 A) |
| Muatan gate-source (QGS) | 4,9 nC typ |
| Muatan gate-drain (QGD) | 15 nC typ |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 1400 pF typ (VDS 10 V, VGS 0 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 470 pF typ |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 150 pF typ |
| Waktu switching | td(on) 21 ns · tr 110 ns · td(off) 140 ns · tf 110 ns (typ; ID 10 A, VGS 10 V, VDD 50 V, RG 10 Ω) |
| Arus / energi avalanche tunggal | IAS 20 A · EAS 40 mJ |
| Disipasi daya total (PT) | 35 W (TC 25 °C) · 2,0 W (TA 25 °C) |
| Tegangan maju dioda body (VF(S-D)) | 1,1 V typ (IF 20 A, VGS 0 V) |
| Pemulihan balik dioda body | trr 170 ns · Qrr 770 nC (typ; IF 20 A, di/dt 100 A/µs) |
| Suhu kanal (Tch) | 150 °C maks |
| Suhu penyimpanan (Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | MP-45F (TO-220 terisolasi / full-pack) |
| Jenis pemasangan | Through hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet NEC (Renesas) 2SK2461, unduhan renesas.com.
Kemasan MP-45F adalah versi TO-220 berbadan plastik penuh (terisolasi), sesuai dengan foto.
Datasheet mencantumkan RDS(on) pada VGS 10 V dan VGS 4 V.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
