Name: 2SK3549-01 FUJI TO-3P - RDD Technologies
Brand: FUJI ELECTRIC
SKU: 3701174-L34.06
Price: 75000 IDR
Availability: InStock

2SK3549-01 FUJI TO-3P

Rp75.000

2SK3549-01
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 900V; RDS(ON) 1.08 Ohms; ID +/-40A; TO-247; PD 270W; VGS +/-3

Stok 3

SKU: 3701174-L34.06 Kategori: MOSFET Brand: FUJI ELECTRIC

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel 900 V
Merek	Fuji Electric
Tegangan drain-source (VDS)	900 V
Tegangan gate-source (VGS)	±30 V
Arus drain kontinu (ID)	10 A
Arus drain pulsa (IDP)	40 A
RDS(on) maks	1,40 Ω (VGS 10 V, ID 5 A)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	3,0 V – 5,0 V
Muatan gate total (Qg)	34,5 nC typ (VGS 10 V)
Disipasi daya (PD)	270 W (Tc 25 °C)
Suhu kanal (Tch)	150 °C maks
Suhu penyimpanan	-55 °C – +150 °C
Jumlah kanal	1

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fuji Electric 2SK3549-01. Nama kemasan tidak tercantum jelas pada salinan datasheet yang kami periksa, sehingga tidak kami tampilkan di tabel.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.