Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 40 V, automotive grade (HEXFET) |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 40 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 320 A (TC 25 °C) · 230 A (TC 100 °C), silicon limited · 240 A dibatasi kemasan |
| Arus drain pulsa (IDM) | 1360 A |
| RDS(on) maks | 1,6 mΩ (VGS 10 V, ID 160 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,0 V – 4,0 V |
| Muatan gate total (Qg) | 170 nC typ · 260 nC maks (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 330 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | D2PAK 7 pin |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon AUIRF2804S-7P (2015-11-11). Seri HEXFET ini awalnya dikembangkan oleh International Rectifier, yang kini menjadi bagian dari Infineon.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


