Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda Schottky barrier 1 A, surface mount (grade otomotif) |
|---|---|
| Merek | Diodes Incorporated |
| Tegangan balik puncak berulang (VRRM) | 60 V |
| Tegangan balik RMS | 42 V |
| Arus keluaran rata-rata (IO) | 1,0 A (TT 130 °C) |
| Arus surja maju (IFSM) | 30 A (8,3 ms, setengah gelombang sinus) |
| Tegangan maju maks. (VF) | 0,7 V (IF 1,0 A) |
| Arus bocor maks. (IR) | 0,5 mA (TA 25 °C) · 10 mA (TA 100 °C) pada VR rating |
| Kapasitansi total maks. | 110 pF (VR 4 V, 1 MHz) |
| Waktu pemulihan (tipikal) | 12 ns |
| Kualifikasi | AEC-Q101 |
| Kode marking | B160 |
| Suhu junction kerja | −65 °C – +150 °C |
| Kemasan | SMA (DO-214AC) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Diodes Incorporated B120Q/BQ – B160Q/BQ (1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier, DS38236 Rev. 4-2, Desember 2018): tabel maximum ratings, thermal characteristics dan electrical characteristics B160Q.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


