Spesifikasi teknis
| Jenis | Schottky barrier diode ganda, common anode |
|---|---|
| Merek | NXP (kini Nexperia) |
| Tegangan balik maks (VR) | 30 V |
| Arus maju kontinu (IF) | 200 mA per dioda (Tamb 25 °C) |
| Arus maju puncak berulang (IFRM) | 300 mA |
| Arus surja (IFSM) | 600 mA (tp < 10 ms) |
| Tegangan maju maks (VF) | 320 mV (IF 1 mA) · 400 mV (IF 10 mA) · 800 mV (IF 100 mA) |
| Arus bocor balik maks (IR) | 2 µA (VR 25 V) |
| Kapasitansi dioda maks (Cd) | 10 pF (VR 1 V, f 1 MHz) |
| Waktu pemulihan balik maks (trr) | 5 ns |
| Disipasi daya (Ptot) | 250 mW (Tamb ≤ 25 °C) |
| Suhu sambungan maks (Tj) | 150 °C |
| Kode marking | V3 |
| Jumlah dioda | 2 |
| Kemasan | SOT23 (TO-236AB) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Nexperia BAT54 series (Rev. 5, 5 Oktober 2012). Nexperia adalah bekas divisi Standard Products NXP.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
