Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN, general purpose / switching 800 mA |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini bagian dari onsemi) |
| VCEO | 45 V |
| VCES | 50 V |
| VEBO | 5 V |
| Arus kolektor (IC) | 800 mA (DC) |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · turun 5,0 mW/°C di atas 25 °C |
| hFE | 160–400 (kelas -25; VCE 1 V, IC 100 mA) · min. 60 (VCE 1 V, IC 300 mA) |
| VCE(sat) maks. | 0,7 V (IC 500 mA, IB 50 mA) |
| VBE(on) maks. | 1,2 V (VCE 1 V, IC 300 mA) |
| fT | 100 MHz (tipikal; VCE 5 V, IC 10 mA) |
| Cob | 12 pF (tipikal; VCB 10 V, f 1 MHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Kolektor · 2 Basis · 3 Emitor |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fairchild Semiconductor BC337/BC338 (NPN Epitaxial Silicon Transistor, Rev. 1.1.0, Oktober 2014): tabel absolute maximum ratings, karakteristik listrik dan klasifikasi hFE (kelas -25).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
