Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP, sinyal kecil / general purpose |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini bagian dari onsemi) |
| VCEO | −45 V |
| VCBO | −50 V |
| VEBO | −5 V |
| Arus kolektor (IC) | −100 mA (DC) |
| Disipasi daya (PC) | 500 mW (TA 25 °C) |
| hFE | 200–450 (kelas B; VCE −5 V, IC −2 mA) |
| VCE(sat) maks. | −0,3 V (IC −10 mA, IB −0,5 mA) · −0,65 V (IC −100 mA, IB −5 mA) |
| VBE(on) | −0,60 s/d −0,75 V (VCE −5 V, IC −2 mA) |
| fT | 150 MHz (tipikal; VCE −5 V, IC −10 mA) |
| Cob | 6 pF (VCB −10 V, f 1 MHz) |
| Noise figure | Maks. 10 dB (VCE −5 V, IC −200 µA, f 1 kHz, RG 2 kΩ) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Kolektor · 2 Basis · 3 Emitor |
| Kemasan | TO-92 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fairchild Semiconductor BC556/BC557/BC558/BC559/BC560 (PNP Epitaxial Silicon Transistor, Rev. 1.1.0, April 2014): tabel absolute maximum ratings, karakteristik listrik dan klasifikasi hFE (kelas B).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
