Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP, general purpose |
|---|---|
| Merek | NXP (sekarang Nexperia) |
| VCEO | −45 V |
| VCBO | −50 V |
| VEBO | −5 V |
| Arus kolektor (IC) | −500 mA kontinu · −1 A puncak (tp ≤ 1 ms) |
| Disipasi daya (Ptot) | 200 mW (footprint standar) · 290 mW (pad kolektor 1 cm²); Tamb ≤ 25 °C |
| hFE | 160 – 400 (IC −100 mA, VCE −1 V; grup -25) |
| VCE(sat) maks. | −700 mV (IC −500 mA, IB −50 mA) |
| fT | Min. 80 MHz |
| Pasangan komplementer (NPN) | BC817-25W |
| Konfigurasi kaki | 1 Basis · 2 Emitor · 3 Kolektor |
| Kemasan | SOT-323 (SC-70) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Nexperia BC807W series (Rev. 8, 1 Juli 2022), baris BC807-25W.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


