Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor Darlington PNP |
|---|---|
| Merek | NXP / Nexperia |
| VCES | −30 V |
| VCBO | −40 V |
| VEBO | −10 V |
| Arus kolektor (IC) | −500 mA kontinu · −800 mA puncak |
| Disipasi daya (Ptot) | 250 mW (TA ≤ 25 °C, PCB FR4) |
| hFE | Min. 4.000 (IC −1 mA) · min. 10.000 (IC −10 mA) · min. 20.000 (IC −100 mA); VCE −5 V |
| VCE(sat) maks. | −1 V (IC −100 mA, IB −0,1 mA) |
| VBE(on) maks. | −1,4 V (VCE −5 V, IC −10 mA) |
| fT | 220 MHz (tipikal; VCE −5 V, IC −30 mA) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Kode marking | FD* (* = kode lokasi produksi) |
| Konfigurasi kaki | 1 Basis · 2 Emitor · 3 Kolektor |
| Kemasan | SOT-23 (TO-236AB) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet NXP Semiconductors BCV26/BCV46 (PNP Darlington transistors, product data sheet 13 Januari 2004): tabel limiting values, karakteristik listrik dan informasi marking untuk BCV26.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


