Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP daya menengah |
|---|---|
| Merek | NXP (sekarang Nexperia) |
| VCEO | −60 V |
| VCBO | −60 V |
| VEBO | −5 V |
| Arus kolektor (IC) | −1 A kontinu · −2 A puncak (tp ≤ 1 ms) |
| Disipasi daya (Ptot) | 0,50 W (footprint standar) · 0,95 W (pad kolektor 1 cm²) · 1,35 W (pad 6 cm²); FR4, Tamb ≤ 25 °C |
| hFE | 63 – 250 (IC −150 mA, VCE −2 V) · min. 40 (IC −500 mA) |
| VCE(sat) maks. | −0,5 V (IC −500 mA, IB −50 mA) |
| fT | 145 MHz (tipikal) |
| Pasangan komplementer (NPN) | BCX55 |
| Kode marking | AE |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Kolektor · 3 Basis |
| Kemasan | SOT-89 |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet NXP/Nexperia BCP52 / BCX52 / BC52PA (Rev. 9, 2011), baris BCX52 (tanpa akhiran grup hFE).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
