Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN, daya menengah |
|---|---|
| Merek | NXP Semiconductors (dahulu Philips; lini diskret kini Nexperia) |
| Kode pabrikan | BCX54 (tanpa kelompok gain) |
| Kemasan / Package | SOT89 |
| Pemasangan | Surface Mount |
| Tegangan kolektor–basis (VCBO) maks. | 45 V |
| Tegangan kolektor–emitor (VCEO) maks. | 45 V |
| Tegangan emitor–basis (VEBO) maks. | 5 V |
| Arus kolektor (IC) maks. | 1 A (DC) · puncak 1,5 A |
| Arus basis puncak (IBM) maks. | 0,2 A |
| Disipasi daya (Ptot) maks. | 1,3 W (Tamb ≤ 25 °C, pad kolektor 6 cm²) |
| Penguatan arus DC (hFE) | 63 – 250 (VCE 2 V, IC 150 mA) · min. 63 (IC 5 mA) · min. 40 (IC 500 mA) |
| Tegangan saturasi (VCEsat) maks. | 0,5 V (IC 500 mA, IB 50 mA) |
| Tegangan basis–emitor (VBE) maks. | 1 V (IC 500 mA, VCE 2 V) |
| Frekuensi transisi (fT, tipikal) | 130 MHz (IC 10 mA, VCE 5 V) |
| Arus bocor kolektor (ICBO) maks. | 100 nA (VCB 30 V) · 10 µA (VCB 30 V, Tj 125 °C) |
| Resistansi termal | 94 K/W (junction–ambient) · 14 K/W (junction–titik solder) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Suhu kerja (ambient) | −65 °C – +150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Kolektor · 3 Basis |
| Kode marking | BA |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet resmi Philips Semiconductors (kini NXP/Nexperia) BCX54; BCX55; BCX56 – NPN medium power transistors (Product specification, 10 Oktober 2001, kode dokumen 9397 750 08744).
BCX54 tanpa akhiran adalah versi tanpa kelompok gain (hFE 63 – 250). Versi BCX54-10 (hFE 63 – 160, marking BC) dan BCX54-16 (hFE 100 – 250, marking BD) adalah kode berbeda. Angka disipasi daya berlaku bila kaki kolektor disolder ke pad tembaga 6 cm²; pada pad yang lebih kecil, daya yang aman lebih rendah.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
