Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda bridge (penyearah jembatan) 1 fase, glass passivated, surface mount |
|---|---|
| Merek | Vishay General Semiconductor |
| Tegangan balik puncak berulang (VRRM) | 100 V |
| Tegangan RMS maks. | 70 V |
| Tegangan blok DC maks. | 100 V |
| Arus keluaran rata-rata (IF(AV)) | 1,0 A (TA 40 °C) |
| Arus surja maju (IFSM) | 50 A (setengah gelombang sinus) |
| Rating fusing (I²t) | 10 A²s (t < 8,3 ms) |
| Tegangan maju maks. (VF) per dioda | 1,1 V (1,0 A) |
| Arus bocor balik maks. (IR) per dioda | 5,0 µA (TA 25 °C) · 500 µA (TA 125 °C) |
| Kapasitansi junction (tipikal) per dioda | 25 pF (4,0 V, 1 MHz) |
| Kode marking | DF01S |
| Suhu junction kerja | −55 °C – +150 °C |
| Kemasan | DFS (4 kaki SMD) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay General Semiconductor DF005S – DF10S (Miniature Glass Passivated Single-Phase Surface-Mount Bridge Rectifiers, dokumen 88573, revisi 9 Juli 2020): tabel maximum ratings, electrical characteristics dan thermal characteristics DF01S.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


