BS170 FSC TO-92

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET N-channel enhancement mode 60 V
Merek	Fairchild (onsemi)
Tegangan drain-source (VDSS)	60 V
Tegangan drain-gate (VDGR)	60 V (RGS ≤ 1 MΩ)
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	500 mA
Arus drain pulsa	1200 mA
Tegangan ambang gate (VGS(th))	0,8 – 3 V, typ 2,1 V (VDS = VGS, ID 1 mA)
RDS(on)	1,2 Ω typ, 5 Ω maks (VGS 10 V, ID 200 mA)
Transkonduktansi maju (gfs)	320 mS typ (VDS 10 V, ID 200 mA)
Kapasitansi masukan (Ciss)	24 pF typ, 40 pF maks (VDS 10 V, VGS 0 V, f 1 MHz)
Kapasitansi keluaran (Coss)	17 pF typ, 30 pF maks
Kapasitansi transfer balik (Crss)	7 pF typ, 10 pF maks
Waktu switching	ton 10 ns maks · toff 10 ns maks (VDD 25 V, ID 200 mA, VGS 10 V, RGEN 25 Ω)
Disipasi daya (PD)	830 mW (TA 25 °C), turun 6,6 mW/°C di atas 25 °C
Resistansi termal (RθJA)	150 °C/W
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	−55 °C – +150 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-92
Jenis pemasangan	Through hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi (Fairchild) BS170 / MMBF170 (MMBF170/D Rev. 9, Februari 2026).

Foto produk menunjukkan logo Fairchild. Datasheet Fairchild/onsemi ini berbeda dari datasheet BS170 lama keluaran Motorola/ON Semiconductor; misalnya disipasi daya di sini 830 mW, bukan 350 mW.

Datasheet yang sama juga mencakup MMBF170 (SOT-23); angka di atas adalah untuk BS170 kemasan TO-92.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.