Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET N-channel 20 V, logic level, ambang gate sangat rendah |
|---|---|
| Merek | NXP (dahulu Philips; kini Nexperia) |
| Tegangan drain-source (VDS) | 20 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±8 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 1,05 A (Ta 25 °C) · 0,67 A (Ta 100 °C) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 4,2 A |
| RDS(on) maks | 200 mΩ (VGS 4,5 V) · 250 mΩ (VGS 2,5 V) · 300 mΩ (VGS 1,8 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(TO)) | 0,4 V min · 0,57 V typ |
| Muatan gate total (Qg) | 3,9 nC typ (VGS 4,5 V) |
| Disipasi daya (Ptot) | 0,417 W (Ta 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | SOT23 |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Philips Semiconductors BSH105 (Rev 1.000, Agustus 1998), yang kini diterbitkan ulang oleh Nexperia (bekas divisi Standard Products NXP).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
