BSP78 INFINEON SOT223

Spesifikasi teknis

Jenis	Smart low-side power switch (HITFET, MOSFET kanal N terproteksi), input logic level
Merek	Infineon Technologies
Tegangan drain-source (VDS)	42 V
Resistansi on (RDS(on))	50 mΩ
Arus beban nominal (ID(Nom))	3 A
Energi clamping (EAS)	500 mJ (satu pulsa induktif)
Tegangan input (VIN)	-0,2 – +10 V
Proteksi load dump (VLD)	53,5 V
Proteksi internal	Thermal shutdown dengan auto restart, overload, hubung singkat, tegangan lebih, pembatas arus, ESD
Disipasi daya (Ptot)	3,8 W (TC 85 °C)
Resistansi termal	125 K/W (RthJA, footprint minimum) · 72 K/W (6 cm² tembaga) · 17 K/W (RthJS)
ESD (HBM)	2 kV
Konfigurasi kaki	1 IN · 2 dan 4 (tab) Drain · 3 Source
Suhu kerja (Tj)	-40 °C – +150 °C
Suhu penyimpanan	-55 °C – +150 °C
Kemasan	SOT-223
Jenis pemasangan	Surface Mount

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon BSP 78 “HITFET II. Generation – Smart Lowside Power Switch” (2004-03-05; salinan alldatasheet).

Menurut datasheet, cocok untuk beban resistif, induktif dan kapasitif pada aplikasi 12 V DC, sebagai pengganti relai elektromekanis.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.