Name: BUV21G ON TO-3 - RDD Technologies
Brand: ON SEMICONDUCTOR
SKU: 17126
Price: 550000 IDR
Availability: InStock

Spesifikasi teknis

Jenis	Transistor daya bipolar NPN, switching arus besar kecepatan tinggi
Merek	onsemi (ON Semiconductor)
VCEO(sus)	200 V
VCBO	250 V
VEBO	7 V
Arus kolektor (IC)	40 A kontinu · 50 A puncak (≤ 10 ms)
Arus basis (IB)	8 A
Disipasi daya (PD)	250 W (TC 25 °C)
hFE	Min. 20 (VCE 2 V, IC 12 A) · min. 10 (VCE 4 V, IC 25 A)
VCE(sat) maks.	0,6 V (IC 12 A, IB 1,2 A) · 1,5 V (IC 25 A, IB 3 A)
VBE(sat) maks.	1,5 V (IC 25 A, IB 3 A)
Waktu switching maks.	ton 1,0 µs · tf 0,4 µs (IC 25 A, VCC 100 V)
Suhu junction maks.	200 °C
Konfigurasi kaki	1 Basis · 2 Emitor · casing = Kolektor
Kemasan	TO-3 (TO-204AE), casing logam
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi BUV21 (BUV21/D, Rev. 12, November 2024): tabel maximum ratings, karakteristik listrik dan waktu switching resistif.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.