Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda bridge (penyearah jembatan) satu fasa |
|---|---|
| Merek | Shindengen Electric |
| Kode pabrikan | D10XB60 |
| Kemasan / Package | 3S (Thin SIP, 4 kaki) |
| Pemasangan | Through Hole |
| Tegangan balik puncak (VRM) maks. | 600 V |
| Arus keluaran rata-rata (IO) | 10 A (dengan heatsink, Tc 100 °C) · 2,7 A (tanpa heatsink, Ta 25 °C); sinus 50 Hz, beban resistif |
| Arus surja puncak (IFSM) | 120 A (sinus 50 Hz, 1 siklus, tidak berulang, Tj 25 °C) |
| I²t | 60 A²s (1 ms ≤ t < 10 ms, Tj 25 °C) |
| Tegangan maju (VF) maks. | 1,1 V per dioda (IF 5 A) |
| Arus balik (IR) maks. | 10 µA per dioda (VR = VRM) |
| Kekuatan isolasi | 2,5 kV AC, 1 menit (seluruh kaki ke badan) |
| Resistansi termal maks. | 2,3 °C/W (junction–case, dengan heatsink) · 6 °C/W (junction–kaki, tanpa heatsink) · 26 °C/W (junction–ambient, tanpa heatsink) |
| Torsi baut pemasangan | maks. 0,8 N·m (disarankan 0,5 N·m) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Suhu penyimpanan | −40 °C – +150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 + · 2 ~ (AC) · 3 ~ (AC) · 4 − |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet resmi Shindengen Electric D10XB60 / D10XB80 (dokumen J534-1; salinan Kyohritsu dan chipdip DOC012565301). Angka listrik berlaku per dioda.
Arus 10 A hanya berlaku bila badan dioda dibaut ke heatsink sehingga suhu badan tidak melebihi 100 °C. Tanpa heatsink, arus rata-rata yang aman hanya 2,7 A.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
