Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda switching sinyal kecil tegangan tinggi, ganda seri (dual in-series) |
|---|---|
| Merek | Vishay Semiconductors |
| Tegangan balik kontinu (VR) | 240 V |
| Tegangan balik puncak berulang (VRRM) | 300 V |
| Tegangan breakdown min. (VBR) | 300 V (IR 100 µA) |
| Arus maju kontinu (IF) | 225 mA |
| Arus maju puncak berulang (IFRM) | 625 mA |
| Arus surja maju (IFSM) | 4,0 A (1 µs) · 1,0 A (1 s) |
| Tegangan maju (VF) | Tipikal 0,83 V, maks. 0,87 V (20 mA) · maks. 1,00 V (100 mA) |
| Arus bocor maks. (IR) | 100 nA (VR 240 V) · 100 µA (VR 240 V, Tj 150 °C) |
| Kapasitansi dioda maks. | 5,0 pF (0 V, 1 MHz) |
| Waktu pemulihan balik maks. (trr) | 50 ns |
| Disipasi daya | 350 mW |
| Kode marking | DB6 |
| Suhu kerja | −55 °C – +150 °C |
| Kemasan | SOT-23 |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay Semiconductors GSD2004S (Dual In-Series Small Signal High Voltage Switching Diode, dokumen 85728 Rev. 1.8, 13 Februari 2018): tabel absolute maximum ratings, thermal characteristics dan electrical characteristics.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


