Spesifikasi teknis
| Jenis | Bridge diode (penyearah jembatan satu fase), SMD |
|---|---|
| Merek | Shindengen |
| Tipe | S1ZB60 |
| Tegangan balik maks (VRM) | 600 V |
| Arus keluaran rata-rata (IO) | 0,8 A (substrat alumina) · 0,5 A (PCB glass-epoxy); 50 Hz sinus, beban resistif, Ta 25 °C |
| Arus surja maju puncak (IFSM) | 30 A (50 Hz sinus, 1 siklus, non-repetitif, Tj 25 °C) |
| I²t | 4,5 A²s (1 ms ≤ t < 10 ms, per elemen) |
| Tegangan maju maks (VF) | 1,05 V (IF 0,4 A, per dioda, uji pulsa) |
| Arus balik maks (IR) | 10 µA (VR = VRM, per dioda, uji pulsa) |
| Resistansi termal | θjl 20 °C/W maks · θja 76 °C/W maks (alumina) · 134 °C/W maks (glass-epoxy) |
| Suhu sambungan kerja (Tj) | 150 °C |
| Suhu penyimpanan (Tstg) | -40 °C – +150 °C |
| Kemasan | 1Z (SMD, 4 pin) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Shindengen S1ZB “Bridge Diode” 800V 0.8A (J534-p, 2014.03; salinan alldatasheet).
Identifikasi tipe: marking pada badan komponen di foto produk adalah “Z6” diikuti kode lot. Menurut contoh marking di datasheet, “Z6” adalah kode tipe S1ZB60 (600 V); S1ZB80 adalah versi 800 V.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


