Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET N-channel PowerTrench 150 V |
|---|---|
| Merek | onsemi (Fairchild) |
| Tegangan drain-source (BVDSS) | 150 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 1,4 A (TA 25 °C) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 8 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2 – 4 V, typ 2,6 V (VDS = VGS, ID 250 µA) |
| RDS(on) | 319 mΩ typ, 425 mΩ maks (VGS 10 V, ID 1,4 A) · 332 mΩ typ, 475 mΩ maks (VGS 6 V, ID 1,3 A) |
| Transkonduktansi maju (gfs) | 4 S typ (VDS 10 V, ID 1,4 A) |
| Muatan gate total (Qg) | 8 nC typ, 11 nC maks (VGS 10 V, VDS 75 V, ID 1,4 A) |
| Muatan gate-source (Qgs) | 1,5 nC typ |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 2,3 nC typ |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 344 pF typ (VGS 0 V, VDS 75 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 22 pF typ |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 9 pF typ |
| Waktu switching | td(on) 6,5 / 13 ns · tr 3,5 / 7 ns · td(off) 22 / 33 ns · tf 4 / 8 ns (typ / maks; VDD 75 V, ID 1 A, VGS 10 V, RGEN 6 Ω) |
| Energi avalanche pulsa tunggal (EAS) | 13,5 mJ |
| Disipasi daya (PD) | 1,6 W (pad tembaga 1 in²) · 0,8 W (pad minimum) |
| Resistansi termal | RθJA 78 °C/W (pad tembaga 1 in²) · RθJC 30 °C/W |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | 0,8 V typ, 1,2 V maks (IS 1,3 A, VGS 0 V) |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | SuperSOT-6 (TSOT-23-6) |
| Jenis pemasangan | SMD (surface mount) |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi (Fairchild) FDC2512 (FDC2512/D Rev. 2, April 2022).
Arus drain dan disipasi daya bergantung pada luas tembaga PCB di bawah komponen: datasheet memberi 1,6 W dengan pad tembaga 1 in² dan hanya 0,8 W dengan pad minimum.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
