Spesifikasi teknis
| Jenis | Dua MOSFET N-channel 30 V asimetris dalam satu kemasan (PowerTrench Power Stage): Q1 kontrol, Q2 sinkron (SyncFET) |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini onsemi) |
| Tegangan drain-source (VDS) | 30 V (Q1 dan Q2) |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | Q1: 30 A · Q2: 28 A (TC 25 °C, dibatasi kemasan) · Q1: 12 A · Q2: 17 A (TA 25 °C) |
| Arus drain pulsa | 40 A (Q1 dan Q2) |
| RDS(on) maks | Q1: 7,5 mΩ (VGS 10 V) · 12 mΩ (VGS 4,5 V) — Q2: 4,2 mΩ (VGS 10 V) · 5,5 mΩ (VGS 4,5 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1 V min · 1,8 V typ · 3 V maks |
| Muatan gate total (Qg) | Q1: 20 nC typ · Q2: 43 nC typ (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | Q1: 2,1 W · Q2: 2,2 W (TA 25 °C, pad 1 in²) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 2 |
| Kemasan | MLP 3×4,5 |
| Kode pada badan | FDML7610S |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fairchild Semiconductor FDML7610S (Rev. C1, April 2013). Fairchild kini menjadi bagian dari onsemi.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


