Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda bridge (penyearah jembatan) 1 fase 6 A, glass passivated |
|---|---|
| Merek | LGE (Luguang Electronic) |
| Tegangan balik puncak berulang (VRRM) | 800 V |
| Tegangan RMS maks. | 560 V |
| Arus keluaran rata-rata (IF(AV)) | 6,0 A (TC 90 °C, dengan heat sink) |
| Arus surja maju (IFSM) | 150 A (8,3 ms, setengah gelombang sinus) |
| Rating fusing (I²t) | 93,375 A²s (t < 8,3 ms) |
| Tegangan maju maks. (VFM) per elemen | 1,0 V (3 A) · 1,1 V (6 A) |
| Arus bocor balik maks. (IR) | 5,0 µA (TA 25 °C) · 500 µA (TA 125 °C) |
| Kapasitansi junction (tipikal) per kaki | 45 pF (4,0 V, 1 MHz) |
| Resistansi termal | Junction–ambient 24 °C/W (tanpa heat sink) · junction–case 1,8 °C/W (dengan heat sink) |
| Suhu junction kerja | −55 °C – +150 °C |
| Kemasan | GBJ |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet LGE (Luguang Electronic) GBJ6005 thru GBJ610 (Single Phase 6.0 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier, revisi 20220701-P1): tabel maximum ratings and electrical characteristics GBJ608.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
