Spesifikasi teknis
| Jenis | TVS diode array proteksi ESD 2 jalur (mode BiAs, bidirectional asimetris) |
|---|---|
| Merek | Vishay Semiconductors |
| Tegangan kerja balik (VRWM) | 5 V (IR 10 µA) |
| Arus bocor maks. (IR) | 10 µA pada VR 5 V |
| Tegangan clamping (VC) | Tipikal 12 V, maks. 16 V pada IPPM 30 A |
| Arus pulsa puncak (IPPM) | 30 A (8/20 µs, IEC 61000-4-5) |
| Daya pulsa puncak (PPP) | 480 W (pin 1/2 ke 3) · 612 W (pin 1 ke 2), 8/20 µs |
| Ketahanan ESD (IEC 61000-4-2) | ±30 kV kontak · ±30 kV udara |
| Kapasitansi (CD) | Tipikal 260 pF, maks. 350 pF (VR 0 V) · 150 pF (VR 2,5 V), 1 MHz |
| Kode marking | 05C |
| Suhu junction kerja | −40 °C – +125 °C |
| Kemasan | SOT-23 |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay Semiconductors GSOT03C to GSOT36C (Two-Line ESD-Protection in SOT23, dokumen 85824 Rev. 1.7, 21 April 2008): tabel absolute maximum ratings dan electrical characteristics GSOT05C.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


