Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET P-channel untuk switching daya kecepatan tinggi |
|---|---|
| Merek | Renesas |
| Tegangan drain-source (VDSS) | −60 V |
| Tegangan gate-source (VGSS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | −20 A |
| Arus drain puncak (ID(pulse)) | −80 A (PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%) |
| Tegangan cutoff gate (VGS(off)) | −1,0 – −2,5 V (ID −1 mA, VDS −10 V) |
| RDS(on) | 40 mΩ typ, 50 mΩ maks (VGS −10 V, ID −10 A) · 60 mΩ typ, 85 mΩ maks (VGS −4,5 V, ID −5 A) |
| Admitansi transfer maju (|yfs|) | 7,2 S min, 12 S typ (ID −10 A, VDS −10 V) |
| Muatan gate total (Qg) | 37 nC typ (VDD −25 V, VGS −10 V, ID −20 A) |
| Muatan gate-source (Qgs) | 6,5 nC typ |
| Muatan gate-drain (Qgd) | 8 nC typ |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 2200 pF typ (VDS −10 V, VGS 0 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 220 pF typ |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 130 pF typ |
| Waktu switching | td(on) 25 ns · tr 85 ns · td(off) 70 ns · tf 15 ns (typ; VGS −10 V, ID −10 A, RL 3,0 Ω, Rg 4,7 Ω) |
| Arus avalanche (IAP) | −12 A |
| Energi avalanche (EAR) | 12,3 mJ (Tch 25 °C, Rg ≥ 50 Ω) |
| Disipasi daya kanal (Pch) | 25 W (TC 25 °C) |
| Tegangan maju dioda body (VDF) | 0,95 V typ (IF −20 A, VGS 0 V) |
| Waktu pemulihan balik dioda (trr) | 30 ns typ (IF −20 A, diF/dt 100 A/µs) |
| Suhu kanal (Tch) | 150 °C maks |
| Suhu penyimpanan (Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | DPAK-S (TO-252) |
| Jenis pemasangan | SMD (surface mount) |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Renesas H7P0601DL / H7P0601DS (REJ03G0044-0100Z Rev. 1.00, 5 Agustus 2003).
Menurut datasheet, gate dapat dikendalikan dengan 4,5 V sehingga komponen ini bisa digerakkan dari sumber 5 V.
Kode 7P0601 pada badan komponen di foto produk sesuai dengan datasheet ini.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
