Spesifikasi teknis
| Jenis | IGBT kanal N 600 V (seri UFS) dengan dioda anti-paralel hyperfast |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini onsemi) |
| Kode pabrikan | HGTG12N60C3D |
| BVCES | 600 V |
| IC (Tc = 25 °C) | 24 A |
| IC (Tc = 110 °C) | 12 A |
| ICM (pulsa) | 96 A |
| Arus rata-rata dioda (110 °C) | 15 A |
| VGES | ± 20 V (pulsa ± 30 V) |
| PD (Tc = 25 °C) | 104 W |
| Fall time (typ.) | 210 ns pada TJ 150 °C |
| Short circuit withstand | 4 µs (VGE 15 V) |
| Suhu junction | -40 °C – +150 °C |
| Kemasan | TO-247 |
| Pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet resmi HGTG12N60C3D (terbitan Harris Semiconductor, Januari 1997; LCSC C898249).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


