Spesifikasi teknis
| Jenis | IGBT NPT kanal N 600 V |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini onsemi) |
| Kode pabrikan | HGTG30N60B3 |
| BVCES | 600 V |
| IC (Tc = 25 °C) | 60 A |
| IC (Tc = 110 °C) | 30 A |
| ICM (pulsa) | 220 A |
| VGES | ± 20 V (pulsa ± 30 V) |
| VCE(sat) typ. | 1,45 V (IC 30 A) |
| PD (Tc = 25 °C) | 208 W |
| Fall time (typ.) | 90 ns pada TJ 150 °C |
| Short circuit withstand | 4 µs (VGE 12 V) |
| Suhu junction | -55 °C – +150 °C |
| Kemasan | TO-247 (JEDEC) |
| Pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet resmi Fairchild HGTG30N60B3 (Rev. C1, 2013; LCSC C898252).
Nama produk kami menyebut TO-3; menurut Fairchild kemasan HGTG30N60B3 adalah TO-247 (JEDEC).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


