Spesifikasi teknis
| Function | High- and low-side MOSFET / IGBT gate driver, independent channels |
|---|---|
| Number of Drivers | 2 (high side and low side) |
| Maximum Offset Voltage | 600 V |
| Output Current | ±2 A source / 2 A sink (2,0 A min, 2,5 A typ, pulsed ≤ 10 µs) |
| Gate Drive Supply (VCC) | 10 – 20 V |
| Logic Supply (VDD) | VSS + 3 V – VSS + 20 V (3,3 V logic compatible) |
| Turn-On Propagation Delay | 120 ns typ, 150 ns max |
| Turn-Off Propagation Delay | 94 ns typ, 125 ns max |
| Shutdown Propagation Delay | 110 ns typ, 140 ns max |
| Rise / Fall Time | 25 ns / 17 ns typ (35 ns / 25 ns max) |
| Delay Matching | 20 ns max |
| Quiescent Supply Current | VCC 180 µA typ, 340 µA max; VBS 125 µA typ, 230 µA max |
| Undervoltage Lockout | VCC 8,5 V rising, 8,2 V falling |
| Offset Supply Leakage | 50 µA max |
| Power Dissipation | 1,25 W (SOIC-16, TA ≤ 25 °C) |
| Operating Temperature | -40 °C – +125 °C |
| Package / Case | SOIC-16 |
| Mounting Style | Surface Mount |
| Data tambahan dari pemasok | |
| RoHS | Yes |
| Moisture Sensitive | Yes |
Keterangan
Spesifikasi utama di atas adalah data model IR2113S dari datasheet resmi Infineon. Baris di bawah judul Data tambahan dari pemasok berasal dari data pemasok, bukan dari datasheet.
Data pemasok mencantumkan waktu naik 35 ns dan waktu turun 25 ns sebagai nilai tipikal; pada datasheet itu adalah nilai maksimum (tipikal 25 ns / 17 ns).
Sumber data: datasheet resmi Infineon (International Rectifier) PD60147 rev. V untuk IR2110/IR2113 (salinan yang dihosting LCSC, C537556). Angka mengikuti spesifikasi model tersebut; fisik barang tidak kami periksa satu per satu. Bila Anda memerlukan konfirmasi kode marking pada komponen, hubungi kami sebelum membeli.


