IRF2807ZSPBF INFINEON TO-263-3
Rp65.000
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 71nC
Stok 25
Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel HEXFET dengan RDS(on) sangat rendah |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (BVDSS) | 75 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 89 A pada TC 25 °C (batas silikon); 63 A pada TC 100 °C |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,0 V minimum, 4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA) |
| RDS(on) | 9,4 mΩ maksimum (7,5 mΩ tipikal) pada VGS 10 V, ID 53 A |
| Muatan gate total (Qg) | 71 nC tipikal, 110 nC maksimum pada ID 53 A, VDS 60 V, VGS 10 V |
| Muatan gate-source (Qgs) | 19 nC tipikal, 29 nC maksimum |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 28 nC tipikal, 42 nC maksimum |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 3270 pF pada VGS 0 V |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 420 pF pada VDS 25 V |
| Waktu switching | Turn-on delay 18 ns, rise 79 ns, turn-off delay 40 ns, fall 45 ns (tipikal) |
| Disipasi daya (PD) | 170 W pada TC 25 °C |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-263 (D2PAK) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF2807ZS/L PbF.
Muatan gate total 71 nC adalah nilai tipikal dari datasheet dan sudah benar; nilai maksimumnya 110 nC. Keduanya kami tampilkan karena perancangan driver gate memakai nilai maksimum.
Tegangan ambang gate sebelumnya tertulis 4 V saja. Angka itu adalah batas maksimum; rentang yang dijamin adalah 2,0 V sampai 4,0 V.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
Sumber: datasheet International Rectifier IRF2807ZS/L PbF, salinan melalui LCSC, C459954.
