IRF530NPBF IR TO-220

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel HEXFET, fully avalanche rated
Merek	International Rectifier (Infineon)
Tegangan drain-source (VDSS)	100 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	17 A pada TC 25 °C; 12 A pada TC 100 °C (VGS 10 V)
Arus drain pulsa (IDM)	60 A
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V minimum, 4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
RDS(on)	90 mΩ maksimum pada VGS 10 V, ID 9,0 A
Transkonduktansi maju (gfs)	Minimum 12 S pada VDS 50 V, ID 9,0 A
Muatan gate total (Qg)	37 nC maksimum pada ID 9,0 A, VGS 10 V
Muatan gate-drain (Qgd)	11 nC maksimum
Kapasitansi masukan (Ciss)	920 pF pada VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz
Kapasitansi keluaran (Coss)	130 pF pada kondisi yang sama
Kapasitansi transfer balik (Crss)	19 pF pada kondisi yang sama
Waktu switching	Turn-on delay 9,2 ns, rise 22 ns, turn-off delay 35 ns, fall 25 ns (tipikal)
Disipasi daya (PD)	70 W pada TC 25 °C, derating 0,47 W/°C
Arus avalanche berulang (IAR)	9,0 A
Energi avalanche berulang (EAR)	7,0 mJ
Ketahanan dv/dt pemulihan dioda	7,4 V/ns
Resistansi termal junction-case (RθJC)	2,15 °C/W maksimum
Resistansi termal junction-ambient (RθJA)	62 °C/W maksimum
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF530NPbF.

Angka muatan gate total (Qg) yang beredar untuk komponen ini bernilai tepat dua per tiga dari angka datasheet. Yang kami tampilkan adalah angka datasheet.

Disipasi daya komponen ini sering dikutip sebagai 79 W. Datasheet menyebut 70 W pada suhu case 25 °C.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet International Rectifier, salinan melalui LCSC, C2565.