Name: IRF6643TRPBF IR HEXFET - RDD Technologies
Brand: INTERNATIONAL RECTIFIER (IR)
SKU: 36101041-L31.67
Price: 90000 IDR
Availability: InStock

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET N-channel 150 V untuk amplifier audio Class D (Digital Audio MOSFET)
Merek	International Rectifier (Infineon)
Tegangan drain-source (V(BR)DSS)	150 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	35 A (TC 25 °C) · 6,2 A (TA 25 °C), VGS 10 V
Arus drain pulsa (IDM)	76 A
RDS(on) maks	34,5 mΩ (VGS 10 V, ID 7,6 A)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	3,0 V min · 4,0 V typ · 4,9 V maks
Muatan gate total (Qg)	39 nC typ · 55 nC maks (VGS 10 V)
Disipasi daya (PD)	89 W (TC 25 °C) · 2,8 W (TA 25 °C)
Suhu sambungan dan penyimpanan	-40 °C – +150 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	DirectFET Medium Can (outline MZ)
Jenis pemasangan	Surface Mount

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF6643TRPbF (31 Mei 2013).

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.